 
|
فتح تانتالات الليثيوم على العازل (LTOI) للتطبيقات الضوئية المتقدمة
تفاصيل المنتج:
| مكان المنشأ: | الصين |
| اسم العلامة التجارية: | BonTek |
| إصدار الشهادات: | ISO:9001, ISO:14001 |
| رقم الموديل: | ويفر LNOI |
شروط الدفع والشحن:
| الحد الأدنى لكمية: | 25 حبة |
|---|---|
| الأسعار: | $2000/pc |
| تفاصيل التغليف: | عبوة كاسيت / جرة ، محكم الغلق |
| وقت التسليم: | 1-4 أسابيع |
| شروط الدفع: | تي / ت |
| القدرة على العرض: | 50000 قطعة / شهر |
|
معلومات تفصيلية |
|||
| منتج: | LiTaO3 على عازل | قطر الدائرة: | 4 بوصة ، Φ100 ملم |
|---|---|---|---|
| الطبقة العليا: | الليثيوم تانتالات | سمك أعلى: | 300 ~ 600 نانومتر |
| تشمس: | أكسيد حراري SiO2 | سمك التشمس: | 2000±15nm; 2000 ± 15 نانومتر ؛ 3000±50nm; 3000 ± 50 نانومتر ؛ 4700±10 |
| المادة المتفاعلة: | رقاقة السيليكون | طلب: | أدلة الموجات الضوئية وأدلة الميكروويف |
| إبراز: | تانتالات الليثيوم الضوئية على العازل,رقاقة كهرضغطية LTOI |
||
منتوج وصف
فتح إمكانات الليثيوم Tantalate على العازل (LTOI) للتطبيقات الضوئية المتقدمة
LTOI تعني Lithium Tantalate on Insulator ، وهي تقنية ركيزة متخصصة تستخدم في مجال الضوئيات المتكاملة.وهو ينطوي على نقل طبقة رقيقة من بلورة تانتالات الليثيوم (LiTaO3) إلى ركيزة عازلة ، عادةً ما يكون ثاني أكسيد السيليكون (SiO2) أو نيتريد السيليكون (Si3N4).توفر ركائز LTOI مزايا فريدة لتطوير أجهزة فوتونية مدمجة وعالية الأداء.
يتم إنشاء ركائز LTOI من خلال عملية الترابط حيث يتم نقل طبقة رقيقة من بلورات الليثيوم tantalate إلى ركيزة عازلة.يمكن تحقيق هذه العملية من خلال تقنيات مختلفة ، بما في ذلك ربط الرقائق أو القطع الأيوني ، مما يضمن رابطة قوية بين الطبقات.
توفر ركائز LTOI مزايا فريدة للتطبيقات الضوئية المتقدمة.يوضح استخدامها في المُعدِّلات الكهروضوئية ، والموجهات الموجية ، والأجهزة البصرية غير الخطية ، وأجهزة الاستشعار ، والضوئيات الكمومية ، والدوائر الضوئية المتكاملة نطاقًا واسعًا من التطبيقات وإمكانية دفع حدود تكنولوجيا الضوئيات المتكاملة.
| ويفر LTOI | |||
| بناء | LiTaO3 / SiO2/ سي | LTV / PLTV | <1.5 ميكرومتر (5∗5 ملم2) / 95٪ |
| قطر الدائرة | Φ100 ± 0.2 مم | استثناء الحافة | 5 ملم |
| سماكة | 500 ± 20 ميكرومتر | قَوس | في حدود 50 ميكرومتر |
| الطول الأساسي المسطح | 47.5 ± 2 مم 57.5 ± 2 مم |
تهذيب الحواف | 2 ± 0.5 مم |
| رقاقة المائل | نوع R | بيئي | بنفايات 2.0 |
| أعلى طبقة LT | |||
| متوسط السماكة | 400/600 ± 10 نانومتر | التوحيد | <40nm @ 17 نقطة |
| مؤشر الانكسار | لا> 2.2800 ، ني <2.2100 @ 633 نانومتر | توجيه | المحور Z ± 0.3 درجة |
| درجة | بصري | رع السطح | <0.5 نانومتر |
| عيوب | > 1 مم لا شيء ؛ ≦1 ملم ضمن 300 مجموع |
التفريغ | لا أحد |
| يخدش | > 1 سم لا شيء ؛ ≦1 سم في غضون 3 |
شقة أساسية | عمودي على + Y Axis ± 1 ° |
| عزل SiO2طبقة | |||
| متوسط السماكة | 2000nm ± 15nm 3000nm ± 50nm 4700nm ± 100nm | التوحيد | <± 1٪ @ 17 نقطة |
| فاب.طريقة | أكسيد حراري | مؤشر الانكسار | 1.45-1.47 @ 633 نانومتر |
| المادة المتفاعلة | |||
| مادة | سي | توجيه | <100> ± 1 درجة |
| الاتجاه الأساسي المسطح | <110> ± 1 درجة | المقاومة النوعية | > 10 كيلو سم |
| تلوث المؤخر | لا بقعة مرئية | المؤخر | حفر |
